LDMOSから窒化ガリウムに切り替える時間枠は今あるが、わずか3年だ」 エネルゴン・セミコンダクターのゼネラルマネジャー、レン・ミアン氏は、エネルゴン・セミコンダクターは窒化ガリウム分野での12年間の懸命の努力を経て、重要な時点に達しており、5G基地局建設の機会を捉えることで競争で有利な地位を占めることができると述べた。
基地局や無線リターン システムで使用されている現在の高出力 RF デバイス（電力 > 3 ワット）は、主に 3 つの材料、つまり従来の LDMOS（横方向拡散 MOS）、ガリウムヒ素（GaAs）、そして新興の窒化ガリウム（GaN）をベースにしています。市場調査会社 Yole (Yole Developpement) による 2017 年 7 月のレポートでは、高出力 RF デバイス市場におけるガリウムヒ素のシェアは今後 5 ～ 10 年間は安定しているものの、LDMOS と窒化ガリウムはトレードオフを示すと予測されています。- 2025 年には、LDMOS の割合が約 40% から 15% に減少し、窒化ガリウムが LDMOS とガリウムヒ素を上回り、高出力 RF デバイスの主要技術となり、2025 年までに約 45% を占めるようになるでしょう。2019 年から 2021 年は 5G インフラストラクチャ構築の重要な時期であり、ガリウムにとっても重要な時期となります。 LDMOS に代わる窒化物デバイス。
